MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效（xiào）晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

1.根據控製方式選擇使用Pmos或Nmos.

2.在選型時我們最先看的是VDSS最大漏-源電壓 能夠承受的最高的 施（shī）加電壓 這個電壓（yā）也決定了每（měi）次在電路裏麵選擇它（tā）施加的電壓等級，也就是我們常說的VDSS等級 。從（cóng）成本角度考慮，還需（xū）要確定所需的（de）額定電壓，即器（qì）件（jiàn）所能承受的最（zuì）大電壓。根據（jù）實踐經驗，額定（dìng）電壓（yā）應當大於幹線電壓或總線電壓，一（yī）般會留出1.2~1.5倍的（de）電壓餘量，這（zhè）樣才能提供足夠的保護，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。由於MOS管所能承受（shòu）的最大電壓會隨溫度變化（huà）而變化，設計人員必須在（zài）整個工作溫度範圍內測試電壓的變（biàn）化範圍。額定（dìng）電壓必須有足夠的餘量覆蓋這個變化範圍，確保電路不（bú）會（huì）失效（xiào）。此外（wài），設計工程師（shī）還需要考慮其他（tā）安全因素：如由開關電子設備(常見有電機或變壓器)誘發的電壓瞬變（biàn）。另外，不同應用的額定電壓也有（yǒu）所不同（tóng）；通常便攜式設備選用20V的MOS管，FPGA電源（yuán）為20～30V的（de）MOS管（guǎn），85～220V AC因為整流後是（shì）310V,再加上反向電壓，MOS管VDS應選為450～700V。

如下圖：

2.連續漏電流 這個電流定義在一個（gè）額定的（de）結溫 下 它連續能夠通過的最大 直流電流（liú） 這（zhè）兩個參數就決定了（le） MOS管的應用場合 所以現在的MOS管的話 我們參數基本上看 連續的漏電流 以及最大的漏源電（diàn）壓。

3.mos的結電容。這個（gè）直（zhí）接決（jué）定你芯片的輸出損耗，如果輸入過大，芯片可能會發熱嚴（yán）重。