MOSFET的（de）基本工作原理
對MOSFET(金屬氧化物半導體（tǐ）場效應晶體管）的基（jī）本（běn）結構，要理解MOSFET的功能（néng），或許要首先研究一下半（bàn）導體表麵。
由於缺（quē）乏相鄰的原子，某種半導（dǎo）體的表麵總是其理想晶（jīng）格的一種被擾亂的形（xíng）態。因此，表麵常常會生長一（yī）層薄的氧化層或吸附一些其他原子和分子。於是（shì），這些表麵層通常會帶電。
以一種p型半導體為（wéi）例，假（jiǎ）定（dìng）其（qí）表麵帶正電（diàn）對少量正電荷可（kě）得在這種表麵，空穴的（de）濃度／密度逐漸降低（dī），其導帶和價帶（dài）同時（shí）向下彎曲，建立起一個厚度為hd的耗盡區。
增大正電荷量將導致I qVs I > E; - EF
在這種情況下，導帶和價帶彎曲（qǔ）得更加厲害，對於半導（dǎo）體表麵處的一個較小區域，費米能級更加靠近導帶而不是價帶，從而（ér）形成一（yī）個（gè）厚度為h的反型層，在反型層中電子（zǐ）是多數載流子。
緊挨著反型（xíng）層的是厚度為h.的耗盡層，耗盡層把反型（xíng）層和P區隔開。
如果該p型半導體表麵帶負（fù）電（diàn），所形成的將是空（kōng）穴累積層。N型（xíng）半導體的特性與之相（xiàng）似（sì）：表麵帶正電時形成累積層，表麵帶負電時形成耗盡區（qū）負電荷（hé）增（zēng）多則形成反型層。
接下來，假（jiǎ）定（dìng）在此p型半導體的表麵有（yǒu）一層薄氧化膜，氧化膜上再鍍一層金屬膜。在這層金屬（shǔ）膜（mó）上施加一個正向電壓。進一步再添（tiān）加兩個（gè）n+區分別作為源區（qū）和
漏區（qū）。這樣，我們就有了一個最簡單的（de）橫向MOS場效（xiào）應晶體管的例子。正向電壓的作（zuò）用和正表麵電荷的作用相同：當柵極上有足夠大的正電壓，兩個
n區就會通過反型層連接起來。由（yóu）於柵（shān）壓Vc>VT,漏（lòu）極和源極之間才有電流通過。
柵源閾值電壓Vr(對n溝道 MOSFET):該閾（yù）值電（diàn）壓是這樣一個（gè）柵極電壓，在此電壓下產生的（de）電子濃（nóng）度等於空穴濃度。
MOS場（chǎng）效應晶體管（guǎn）可分（fèn）為
1)n溝道MOSFET:在（zài）p區形成一個n型溝（gōu）道。
2)p溝（gōu）道（dào） MOSFET:在n區形成一個p型溝道。
仔細探查，必須考慮到氧化層在靠近半導體的（de）界麵上含有正（zhèng）電荷。這（zhè）些電荷的密度在5x10°~1x101/c㎡數量級。而且，功率MOSFET的柵區由n型重（chóng）摻雜多晶矽層組成),由於n*摻雜多（duō）晶（jīng）矽和p型半導體（考慮n溝道MOS-
FET)中費米能級的位置不同，柵極和半（bàn）導體之間已經存在（zài）了一個電勢差。這兩種效應都以相同（tóng）的方式起作用，猶如一個外施正柵（shān）極電壓，從（cóng）而導致閾值電壓V,降低。n溝道 MOSFET在p區低摻雜和氧化層電荷密度高的情況下，V是（shì）負的，甚至沒有外
加柵極電壓（yā），溝道也會存在。上（shàng）麵所提到的閾值電壓的定義仍然是（shì）有效的（de）。
MOSFET 可根據柵極電壓分（fèn）為
1)耗盡型：V<0,該器件為常開器件，在柵源加負電壓vc
2)增強型：Vπ>0,n溝道隻在（zài）Vc>Vr時才會（huì）形成（常關器件）。
通常情況下，由於具有常關特點，電（diàn）力電子（zǐ）技術（shù）中使用的（de）是增強型MOSFET器件，而且幾（jǐ）乎（hū）都是n溝道MOSFET.由於電子的遷移率遠遠高於空穴的遷移率（lǜ），n溝道MOSFET器件更有優（yōu）勢。現（xiàn）代器件（jiàn）閾值電壓的（de）典型值被調整到2~4V。
