6月（yuè）13日，上海證券交易所受理了蘇州鍇威特半導體股份（fèn）有限公司（簡稱：鍇威特）的科創板上市申（shēn）請。

據了解，鍇威特主（zhǔ）要從事功率半（bàn）導體的（de）設計、研（yán）發（fā）和銷售，並提供相關技術服務（wù）。公司堅持“自主創芯，助（zhù）力核心芯（xīn）片國產化”的發展定位，主要產品（pǐn）包含功率器件及功率IC兩大類。

在功率器件（jiàn）方麵（miàn），公司產品（pǐn）以高壓平（píng）麵MOSFET為主，並（bìng）在平麵MOSFET工藝平台基礎上設計研發了集成快（kuài）恢複高壓功率MOSFET（FRMOS）係列產品；在功率（lǜ）IC方麵，公司專注於功率驅（qū）動IC和電源管理IC。此外，在第三代半導體方麵，公司的SiC功率器件已小批量出貨。

通過自主創新和技術（shù）沉澱，公司已同（tóng）時具備功率器件和（hé）功率IC的設計（jì）、研發能力。公（gōng）司掌握了功率半導體芯片的前端設計（jì）技術和特色晶圓製造工藝，現已搭建多個功率半導（dǎo）體細分（fèn）產品的技術平台。

憑借高性能的產品，蘇州鍇威特半導體在行業內形成了較強的市場競爭力。結合Omdia研究數據，以發行人（rén）2020年MOSFET產品銷售額測算，蘇州鍇威特半（bàn）導體全球MOSFET市場的市場份額約為0.23%；另根據江蘇省半導體行業協會統計，2020年（nián）蘇州鍇威（wēi）特半導體FRMOS產品的（de）國內市場占有率約為6%，位列本土企業第四位；SiC功率器件方麵，公司是國內為數不（bú）多的具備650V-1700V SiC MOSFET設計能力的企（qǐ）業（yè）之一，產品已覆蓋業內主流（liú）電壓段（duàn）。

三年間經營業績穩步增長

近（jìn）年來，隨著消費電子（zǐ）、工業控製、新能（néng）源（yuán）汽車市場的高（gāo）速成長，推動鍇威特的功率半導體業務持續發展。

公司堅持在高可靠領域芯片國產化替代（dài）的戰略（luè）方向，洞察市場需（xū）求導向，進行自主研發和創新，將科技（jì）成果與產業深度融合。憑借自主研發的高性能產品，鍇威（wēi）特也與多家高（gāo）可靠領域客戶建立（lì）了合作關係。

截至目前，鍇威特已擁有包括平麵MOSFET、功率IC等近700款產品。憑借產品可靠性高、參數一致性好等特點（diǎn），公司迅速在細分領域打開市場，產（chǎn）品廣泛應用於消費電子、工業控製及（jí）高可靠領域，客戶包括以（yǐ）晶豐明（míng）源、必易微（wēi）、芯朋微（wēi）、燦瑞科技為代表的芯片設計公司及多家高可靠領域客戶，並且產品已被小米、美的、雷士照明、佛山照明（míng）等終端客戶所采（cǎi）用。

具體來看，在功率器件方麵，公司已同時具備矽基及SiC基功率器（qì）件的設計、研發能力，積累了多項具有原創性和先進性的核心技（jì）術，其中3項達到國際先進水平，1項達到國內領先水平。

其中，在平麵MOSFET方麵，公（gōng）司核心技術具體包括“高可靠性元胞結構”“新型複合終端結構及實現工藝技術”等。其中，公司利用“高壓MOSFET的少子壽命控（kòng）製及工藝實（shí）現技術”研發並量產的FRMOS產品具有反向恢複（fù）時間短（duǎn）、漏電流小（xiǎo）、高溫特性好、反向恢複特性較軟、低（dī）電磁幹擾（rǎo）的優（yōu）勢特性；在第三代半導體器件方麵，公（gōng）司利用掌握的“短溝道碳化矽MOSFET器件係列產品溝道控（kòng）製及其製造技術”實現了SiCMOSFET穩定的性能和優良的良率控製（zhì）。上述核心技（jì）術有效提升了公（gōng）司產品（pǐn）性能指標，增（zēng）強（qiáng）了產品（pǐn）市場（chǎng）競爭力。

蘇州鍇（kǎi）威特半（bàn）導體（tǐ）股份（fèn）有（yǒu）限公司近三年財務數據

在功率IC方麵，公司基於0.8um 700V BCD、0.5um 600V SOIBCD和0.18um 40V BCD工藝設計（jì）平台，完成了（le）多（duō）款功率IC所（suǒ）需的IP設計與驗（yàn）證，並基於已驗證的IP成（chéng）功開發了近40款功率IC產品；公司（sī）自主研發（fā）了“一種全電壓範圍多基準電壓同步（bù）調整電路（lù）及高精準（zhǔn）過（guò）壓保護電路”“一種輸入失調電壓自動修正電路（lù）”等核心技術，有效提（tí）升了產品（pǐn）參數一（yī）致性，增強了產品可靠性。

憑借（jiè）強有力的產品線，鍇威特近三年的主營業務收入也迎來持續的增長。從2019-2021年，公司主（zhǔ）營業務收入分別為10,575.54萬元、13,383.49萬元（yuán）和20,318.15萬元（yuán），2020年和2021年同（tóng）比分別（bié）增長26.55%和51.82%。其中，平麵MOSFET為公司實現大規模（mó）銷售的主要（yào）產品，該產品收入占主營業務收入的比例分別為86.71%、88.39%和83.07%。

募資約5.3億元投建三大功率半導體等項目

招股書顯示，鍇威特此次IPO擬募資約5.3億元，投建（jiàn）智能功（gōng）率半導（dǎo）體研發升級項目、SiC功率器件研發升級項（xiàng）目、功率半導體研發工程中心升級項目，以及用於補充營運資金。

圖（tú）源（yuán）：蘇州鍇威特半導體股份有限公司招股書（shū）

其中，智能功率半導體研發升級項目主要涉及公司的主營產品功率器件（jiàn）、功率IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）等係列產品的技術升級、工藝製程優化及部分新品（pǐn）類的研發及規模化量產。其中（zhōng），功率器件主要（yào）包括高可靠性高壓平麵MOSFET（包括（kuò） FRMOS）、第三代超結 MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V 屏蔽柵 MOSFET 產品；功率 IC 包括高（gāo）壓高速柵極驅動 IC、高功率密（mì）度電源（yuán）管理（lǐ）IC 產品。

該項目實施旨在繼續加強公司在（zài）功率（lǜ）半導體產品的（de）技術（shù）積（jī）澱，保持（chí）在（zài）功率器件、功（gōng）率 IC、IPM、光繼電（diàn）器（qì）（Photo MOS）產品的領先優勢，挖掘高（gāo）性能智能（néng）功率半導體的（de）發展潛力，打造全係列產品的技術創新平台，致力於成為市場一流的高性能、智能化功率半導體供應商。

而SiC功率器件研發（fā）升級項目主要（yào）涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V1700V SiC SBD工藝優化、器（qì）件升級（jí）及（jí）SiC功率模塊的規模化量產。

在（zài）SiC功率器件方麵，一是SiCMOSFET、SiCSBD由4寸晶圓升級到6寸晶圓的研製；二是在SiCMOSFET基礎上開發集成SBD器件，開發出（chū）650V和（hé）1200V的SiCSKMOS。

在SiC功率模塊方麵，包括SiCSKMOS功率模（mó）塊（kuài）和（hé）集成功率驅動的SiCSKMOSIPM智能功（gōng）率模塊的研發。SiC功率器件及SiC功率模塊的研發、規模化量產及銷售，可以有效豐富公司產品品類，擴大（dà）產（chǎn）品的應用範圍，提高公司（sī）SiC產品的供（gòng）貨能力，從而（ér）提高公司盈（yíng）利水平。

功率半導體研發工（gōng）程（chéng）中心升級項（xiàng）目將對（duì）功率器件（jiàn）和模塊（kuài）封裝（zhuāng）可靠性、SiC高溫封裝、應用、基於 SiC MOSFET 製作光繼（jì）電器（Photo MOS）以及數字電源進行持續深入研究。該項目基（jī）於公司現有技術進行了（le）前瞻性（xìng）布局，有利於提升公司的技術創新能力，進一步豐富技術儲備。項目的實（shí）施一方（fāng）麵可以推動公司現有（yǒu）產品的優（yōu）化升級，提升公司產品附加值；另一（yī）方麵可以推（tuī）動研發成果的（de）成功轉化，有助（zhù）於豐富公司的產品（pǐn）種（zhǒng）類，開拓新的產品應用領域，增強公司的盈（yíng）利能力。

此（cǐ）外，在器（qì）件可靠性考核與測（cè）試應（yīng）用能力方（fāng）麵，隨著可靠（kào）性實驗室及測試（shì）應用中（zhōng）心的建設，公司通過購置先進的測試設備，有利於完備公司可靠性考核能力，有助（zhù）於提高（gāo）產品良率，提升出廠產品的質（zhì）量，更好的滿（mǎn）足和服務於工業級及高可靠領域客戶（hù）對產品品質的需（xū）求，同時（shí），也使得公司（sī）具備（bèi）完善的測試評價（jià）平（píng）台，並能夠有效製作產品應用方案，指導（dǎo）客戶更好的使用公司產品，從而有利於產品的市場推廣。

未來，公司將繼續專（zhuān）注於功率半導體的設計、研發與銷售（shòu），堅持“自主創芯（xīn），助力核心芯片國（guó）產化”的（de）發展定位，聚焦消費（fèi）電子（zǐ）、工業控製和高可靠領域，在新能源汽車、光伏能源、軌道交通（tōng）、智能電網等領域（yù）展開（kāi）布局；在目前掌握的核心技術基礎上，展開（kāi）產品係列化及下遊市場的進（jìn）一步拓展、延伸。