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超結MOSFET的工作(zuò)頻率介紹

超結(Superjunction)MOSFET 的工作頻率範圍通常取決於具體的設計(jì)目標和(hé)應(yīng)用(yòng)需求,主要(yào)受(shòu)限於器(qì)件的(de)開關損耗和電路拓撲(pū)。以下是一些(xiē)關鍵的因素和頻率範圍參考:


1. 工作頻率範圍


低頻段(幾十千赫茲):通常用於簡單的工業控製或某(mǒu)些低(dī)功率的電(diàn)源。

中頻段(100 kHz - 500 kHz):這是大多數開關電源(如PFC、電池充電器)中常見的頻率範(fàn)圍。

高頻段(500 kHz - 數 MHz):在高效電源(yuán)設(shè)計(jì)或功率密度要求較高的情況下(例如適配器、小(xiǎo)型逆變器),超結MOSFET可(kě)以工作在較高頻率。


2. 限製工作頻率的因素


導通(tōng)電阻(R(_{text{DS(on)})):超結(jié)MOSFET的R(_{text{DS(on)})較低,但其對導通損耗的影響(xiǎng)在高頻中仍需考慮。

寄生(shēng)電容(C({text{oss)}), C({text{gs)})):較大的寄生電容會導致(zhì)較高的開關損(sǔn)耗,限製了實際工作頻率。

柵極驅動(dòng)電路:驅動速度和能量是否(fǒu)匹配目標頻率也(yě)會限製(zhì)上限。


3. 應用實(shí)例


用於功率因數校正(PFC)和光伏逆變(biàn)器(qì)時,工作頻率(lǜ)通常在 65 kHz - 150 kHz。

用於DC-DC變換器開關電源時,可能(néng)工作(zuò)在 100 kHz - 500 kHz。

高(gāo)頻拓撲(pū)(如(rú)LLC諧振變(biàn)換器)中(zhōng),可能會超過 1 MHz。


總之,超結MOSFET的具體工作頻率需結合應用場景、電路設計(jì)要(yào)求和效率優化進行選擇。


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