中芯國際新增多條專利信息，其中一條發明專利名稱為“晶圓的（de）清洗方法”，公開號為CN111584340B，法律狀（zhuàng）態為已獲授權。

專利摘（zhāi）要顯示，一種晶圓的清洗方法，包括以下步驟：提供晶圓；清（qīng）洗所（suǒ）述晶圓表麵，清洗後（hòu）的所述晶圓表（biǎo）麵呈正電性，晶圓表麵殘留物具（jù）有負電性；調（diào）節所述晶圓表麵電性或（huò）所述殘留物（wù）的（de）電性，使所述晶圓表麵和所述（shù）殘（cán）留物的呈（chéng）相同（tóng）電性；對所（suǒ）述晶圓表麵進行幹燥，去除所述殘（cán）留物。根（gēn）據同性相斥的原理，經過調（diào）節後所述殘留物與所述晶圓表麵電性相同，因此所述殘留物不會粘附在所述晶圓的表麵（miàn），而是懸浮在晶圓表麵的液膜內。在後續的幹燥過程中，懸浮在液膜內的殘留物會隨著液膜一起被去除，提高了產品良率。

中芯國際指出，目前在半導體器件（jiàn）的的製造工藝中，經常會在具（jù）有（yǒu）疊層結構的半導體器件表麵（miàn）上形成凸凹不平的（de）結構，通常使用化學機械研磨（CMP）工藝平整凸凹不平的表麵。化學機械（xiè）研磨亦稱為（wéi）化學機械拋光（guāng），是目前機械（xiè）加工（gōng）中唯一可以實現表麵全局平坦化（huà）的（de）技術。化學機械研磨工藝中，一般是把芯片放在旋轉的研（yán）磨墊（pad）上，再加一定的壓力，使用含有拋光顆粒（例如SiO顆粒）的研磨液（yè）（slurry），在化學腐蝕與（yǔ）磨削（xuē）移除的交互作用下進行平坦化。在化學機械研（yán）磨（mó）工藝之後，研磨液中的顆粒成為缺陷微粒（lì）存在於晶圓表麵，因此必（bì）須從晶圓表麵完全除去（qù）才能保（bǎo）持半導體器件（jiàn）的（de）可靠性和生產線的（de）清（qīng）潔度。鑒於此，實有必要提出（chū）一種晶圓的清洗方法，以提升清洗效果（guǒ），從而提高產品的良率。