肖（xiāo）特基二極（jí）管是以其發明人肖特（tè）基博士命名的，SBD是肖特基勢壘管（SchottkyBarrierDiode,縮寫（xiě）成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型（xíng）半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬（shǔ）－半導體（tǐ）結原理製作（zuò）的。那（nà）麽下來帶大（dà）家了解一下肖特基二（èr）極管的原理。
肖（xiāo）特基二極管是貴（guì）金屬（金、銀、鋁、鉑等（děng））A為正極，以N型半（bàn）導體B為負極，利用兩者接觸麵上形成的勢壘具有整流器特（tè）性而做成的金（jīn）屬-半導體器件。因為N型半導體（tǐ）中存在著大量的電子，貴金（jīn）屬中僅有少量的自由電荷，所以電子便從濃度值高的B中向濃（nóng）度（dù）值低的（de）A中擴散。顯（xiǎn）然，金屬（shǔ）A中沒有空穴，也就不會有空穴自A向B的擴散運動。
隨著電子不斷從B擴散（sàn）到A，B表麵電子濃度值慢慢降低，表麵電中（zhōng）性被破壞（huài），因此就形成勢壘，其（qí）電場方向為B→A。但在該電場作用下，A中的電子也會產生從A→B的飄移運動，進（jìn）而消弱了由於擴散運動而形成的電場。當創建起一定寬度的空間電荷區後，電場引起的電子漂移運動和濃度值不同引起的電（diàn）子擴散（sàn）運（yùn）動達到相對的平衡，便形成（chéng）了肖特基勢壘。
典型的肖特基整流管的內部電源電路結構是以N型半導（dǎo）體為基片，在上麵形成用砷作摻（chān）雜劑（jì）的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料做成阻檔層。用二氧化矽（guī）（SiO2）來清除邊沿區域的（de）電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的（de）通（tōng）態電阻，其摻雜濃度值較H-層（céng）要高100%倍。在基片下（xià）邊形成N+陰極層，其作（zuò）用是減小陰極（jí）的接觸電阻
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