MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即（jí）金屬氧化物半導體型場效應管，屬於場效應管中（zhōng）的絕緣柵型。因此，MOS管有時（shí）被稱為絕緣柵場效應管。在一般（bān）電子（zǐ）電路中，MOS管通常被用於（yú）放大電路（lù）或（huò）開（kāi）關電路。

三極管和MOS管的原理（lǐ）並不複雜，但是分開講述細（xì）節，反而不如對比起來容易理解。這裏用一張圖，讓您輕鬆理解MOS管（guǎn）和三極管的工作原理。

一（yī）張圖對比MOS管及三極管的工作原理

這裏以NMOS和（hé）NPN三極管為例，並且以電子（zǐ）流（而非電流）方向為主來說明。

一、符號

MOS管（guǎn）一般可以簡化為三個極，分別是柵極（G）源極（S）和漏極（D），MOS器件是電壓控製型器件，用柵極（jí）電壓（yā）來控製源（yuán）漏的導通情（qíng）況；

BJT三極管有三個極（jí），分別是基極（B）發射極（E）和集（jí）電極（jí）（C），三極管是電流控製型器件，用基極電流來控製發射（shè）極與（yǔ）集電極的導通（tōng）情況；

二、截止區

NMOS管的如果柵壓小於閾值電壓，MOS管相當於兩個背靠背的二極管，不導通（tōng）；NPN三極管也（yě）一樣，如果偏壓小於閾值電壓（yā），也相當於兩個背靠背的二極管，不（bú）導通；

三、線性區

NMOS如果柵上加正電（diàn）壓，就會在其（qí）下（xià）感應出相反（fǎn）極性的負電荷，從而產生（shēng）N型溝道，使源漏導（dǎo）通。如果不（bú）考慮源漏電壓影響，則柵壓高一點，產生的溝道（dào）就寬一點，導通能力就（jiù）大（dà）一點，這就是（shì）線性區。

NPN管如果（guǒ）BE結加正向偏置導通，電子就會進入到基區。除了被基區的P型空穴俘獲外，它們有兩個地方可以去：一個是從基極流出，一個是被集電極更高的（de）正電壓吸收。集（jí）電（diàn）極電壓越高，能收集到的電子就會越多，這也是線性變化的。

四、飽和（hé）區

NMOS在漏極電壓比（bǐ）較高時，會使溝道夾斷，之（zhī）後即使電（diàn）壓升高，電流不會再升（shēng）高（gāo），因此叫做飽和區；

NPN三極管在（zài）集（jí）電極（jí）電壓比較高時，也會幾乎全部收（shōu）集到從發射極過（guò）來的電子，電壓再升高也沒有辦法收集到更多，也是它的飽和區（qū）。

五、電流電壓曲線

在線性區，隨著電壓升高，源漏電流或集電（diàn）極電流上升。而在飽和區電（diàn）壓升高，電流基（jī）本（běn）都保持不變。二者的趨（qū）勢（shì）基本一致。