CoolMOS在小功率電源中的EMI應用

Coolmos過EMI電磁幹擾的控（kòng）製手段

SEMIHOW利（lì）用（yòng）多（duō）層外延工藝實現的COOLMOS產品助力工（gōng）程師對（duì）產（chǎn）品的小型化設計,並解決EMI,EMC測試不好通過的問題。

多層外延工藝，通（tōng）過優化內部的電容和電阻（zǔ）來（lái）減少EMI電磁幹擾的噪聲，最大限度的（de）平衡電（diàn）磁（cí）幹擾和效率（lǜ），提高產品穩定性。

電磁（cí）幹擾EMI相對於其他友商（shāng）減少3-5個DB的規格，更容易通過EMI測試。較其他公司使用的溝槽超（chāo）級結工藝，這些多層外延的MOSFET實現了前（qián）所未有的性能改進。

諸如智能手機和平（píng）板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等電（diàn）磁幹擾（EMI），電磁兼容（EMC）受益於此優勢。

此外，CoolMOS支持針對小體積PD電源，電視適配器、照明（míng）、音響和輔（fǔ）助電源的快速開關和高功率密度設計。

目前推出的量產品種包含600V~900V的電壓係列，同時為您帶來包括（kuò）TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等（děng）多款封（fēng）裝外形選擇，可支持纖（xiān）巧型設計。

SemiHow的總部（bù）位於韓國（guó），擁有先進的半導體技術，基於中國和中國先進半導體技術的高質量生產。

以中國公司的（de）牢固合作（zuò）夥（huǒ）伴關係為基礎。具有獨特競爭能力，並且主要專注於中國市場。

為（wéi）了得到快速響應，coolMOS產品選型報（bào）價請電話（huà）聯係。

聯（lián）係人：曾先生 153-3800-0102

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CoolMOS在小功率電源中的EMI應用（yòng）

Coolmos過EMI電磁幹擾的控製手段

SEMIHOW利用多層外延工藝實現的COOLMOS產（chǎn）品助力（lì）工程師對產品的小型化設計,並解決EMI,EMC測試（shì）不（bú）好通過的問題。

多層外延工藝，通過優化內部的電容和電阻來減少EMI電磁幹擾的噪聲，最大限（xiàn）度的平衡（héng）電磁幹擾（rǎo）和效率，提高產品（pǐn）穩定性（xìng）。

電磁幹擾EMI相對（duì）於其他友商減少3-5個DB的（de）規格，更（gèng）容易通過EMI測試。較其他公司使用的溝槽超級結（jié）工藝，這些多層外延的（de）MOSFET實現（xiàn）了前所未有的性（xìng）能改（gǎi）進（jìn）。

諸（zhū）如智能手機和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等（děng）電磁幹擾（EMI），電磁兼容（EMC）受益於此（cǐ）優勢。

此外，CoolMOS支持針對小（xiǎo）體積PD電源（yuán），電視適配器、照明、音響和輔助電源的快速開關和高功率密度設計。

目前推（tuī）出的量產品種包（bāo）含600V~900V的電壓係列（liè），同時為您帶來包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封裝外形選（xuǎn）擇，可支持纖巧（qiǎo）型設計。

SemiHow的總部位於（yú）韓國，擁有（yǒu）先進的半導體技術，基於中國和中國先進半（bàn）導（dǎo）體技術的（de）高質量生產。

以中國公司（sī）的牢固合作夥（huǒ）伴關係為基礎。具有獨特競爭能力，並（bìng）且主要專注於中國（guó）市場。

為了得到快速響（xiǎng）應，coolMOS產品選型報價請電話聯係（xì）。

聯（lián）係人：曾先生 153-3800-0102

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