龍騰半導體的多層外延產品主要包括超結MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）器件。這些產（chǎn）品采用了先進（jìn）的多層外延工藝，這是一種在矽襯底上通過多次摻雜和熱推進（jìn）來生（shēng）長多層摻雜不同的外延層的（de）技術。這種工藝可以實現高電壓承受能力和低導通電阻（zǔ）的特性，使得超結MOSFET非常適合用於需要高效能功率管理的應用場景（jǐng）。

超結MOS工藝（yì）介紹

多層（céng）外延工藝 (Multi-EPI)

• 開發背景：多層外延工藝（yì）是較早被開發出來的、較為（wéi）成熟的超（chāo）結MOS製（zhì）造技（jì）術。

• 工藝（yì）特點：

  • 基於平麵矽生長（zhǎng）技（jì）術（shù）。

  • 通過在外延生長過程中形成（chéng）多個PN結來構建超結（jié）結構。

  • 具有更高的電壓承受（shòu）能力以及更低的（de）導通電阻。

  • 相比傳統SuperJunction技術，能夠進一（yī）步降低生產成本。

• 優點（diǎn）：

  • 在漏電控製、高溫（wēn）可靠性及長期可靠性方麵表現優異。

  • 動態特性優良（liáng），因為整個外延過程基於平整界麵生長，減少了外延位錯缺陷。

• 缺點：

  • 製備工藝相對複雜，導致成本較高。

  • 光刻控製難度較（jiào）大。

深溝槽（cáo）工藝（yì） (Deep-Trench)

• 工藝特點：

  • 一種更為巧妙且相對簡單的實（shí）現超結技術的（de）方法。

  • 首先（xiān）通過外延（yán）設備生長一層幾十微米厚的外（wài）延層（céng）。

  • 然後利用（yòng）深槽刻蝕設備雕刻出（chū）高寬比很大（dà）的溝槽，並通過外（wài）延方式填充該溝（gōu）槽以（yǐ）形成P柱結構。

• 優點（diǎn）：

  • 工藝簡單，成本較低。

  • 減少了晶體缺陷，從而（ér）提高了產品（pǐn）的可靠性和穩定性。

• 缺（quē）點（diǎn）：

  • 溝（gōu）槽側邊與底部蝕刻形貌難以（yǐ）精確控製至平滑狀態。

  • 在（zài）深寬比（bǐ）大的情況下，外延填充時容易在（zài）溝槽底部產生（shēng）不規則空洞，影響芯片長期工作時的可靠性。

  • 由於界麵接近突（tū）變結，動態特性相對較差，在應用（yòng）中可能麵臨（lín）一（yī）定（dìng）挑戰。

這兩種工藝各（gè）有優劣，選擇哪一種取決於具（jù）體的（de）應用需求、製造工藝的可行性以及其他（tā）因素如成（chéng）本考量等。對於（yú）追求高性能但預算有限的情（qíng）況，深溝槽（cáo）工藝可能是更經濟的選擇；而對於那些對器件性能有著極高要求的應用，則可能會傾向於采用多層外延工藝。龍（lóng）騰半導體提供（gòng）的超結MOSFET產品線涵蓋了多種規格和技術參數，適（shì）用（yòng）於新能源汽車、充電樁、通信（xìn）電源（yuán）等多個領域。

以下為龍騰650V 多層外延產品具（jù）體規格：