MOS管無論是在IC設（shè）計裏，還是板級電路應用上，都十（shí）分廣泛。尤其在（zài）大功率半導體領域，由於其具（jù）有輸入（rù）阻抗高、驅動功率低、開關速度（dù）快、無二次擊穿、安全工作區寬、熱穩定性好等優點，各種結構的MOSFET發揮著不可替代..
2021-07-29QC快充曆程高通（tōng）的QC快充（chōng）協議從麵世到現在已經從1.0發展到4.0+了。QC4.0：提升功率至28W，加入（rù）USBPD支持。取消了12V電壓檔（dàng），5V最大可輸出5.6A，9V最大可輸出3A，電壓檔細分以20mV為一..
2021-07-27台灣虹揚持續推出ESD、ESDArray新品!封裝包含SOD-323/SOD-523/DFN1006/DFN0603/DFN2510/DFN1610-6L，詳細（xì）規格（gé）資訊請見附檔
2021-07-26MOSFET特性的溫度（dù）依賴性MOS的（de）閾（yù）值（zhí）電壓VT隨溫度降低。另一方（fāng）麵，遷移率μn隨溫度降低，決定Ron的所有主（zhǔ）要因素中，Ron隨著溫度升高。例如μn(125℃)大約是μn(25℃)的0.5倍，因此Ron會翻倍。..
2021-07-17MOSFET的開關損（sǔn）耗一（yī）個功率MOSFET可以實現的最大開（kāi）關頻率依賴於（yú）開關損（sǔn）耗。每個脈衝周期的能量損耗就像其他（tā）器件一樣是可以估算（suàn）的，可通過在開通和關斷過程中對V(t)和i(t)的乘積進行積分計算。在開通期間，可..
2021-07-16MOSFET的基本工作原理對MOSFET(金屬（shǔ）氧化物半導體（tǐ）場效應晶體管）的基本（běn）結構，要（yào）理解MOSFET的功能（néng），或（huò）許要首先（xiān）研究一下半導體表麵。由於（yú）缺（quē）乏相鄰的原子，某種半（bàn）導體的表麵總是其理（lǐ）想晶格的（de）一種被擾亂（luàn）的形態。..
2021-07-16肖特基二極管的命名： 肖特基二極管（guǎn）是以其發明（míng）人肖特基博士（Schottky）命（mìng）名的， 完整的（de）叫法是：肖特（tè）基整（zhěng）流二極管（SchottkyRecTIfierDiode縮寫成SR）， 也有人叫做：肖特基勢壘二極..
2021-07-12中芯國際表示，目前集成電路芯片製造供不應求。公司2021年一季度（dù）整體產能利用率達到98.7%。根據公司今（jīn）年的CAPEX支出計劃，擬擴（kuò）建1萬片12英寸和4.5萬片8英寸晶圓的產能，以滿足更多的客戶（hù）需求。中芯國際指..
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