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揚傑（jié）IGBT單管產品係列

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產品詳情

揚傑IGBT單管
Product Name	Package	VCES _Min(V)	IC @ TC=80℃(A)	VCE(sat) _Typ(V)	Eon+Eoff typ. Tj=125℃ （mJ）	Rth(j-c) _Max((℃/W)
DGB15N65CTL0	TO-263	650	15	1.4	0.65	1.35
DGB20N65CTL0	TO-263	650	20	1.6	0.83	1.25
DGF10N65CTL0	TO-220F	650	10	1.4	0.71	4.8
DGF15N65CTL0	TO-220F	650	15	1.4	0.65	4.4
DGF20N65CTL0	TO-220F	650	20	1.6	0.83	4
DGL50N120CTL0D	TO-264	1200	50	1.8	11.64	0.3
DGL75N120CTL1J	TO-264	1200	75	1.6	22.6	0.27
DGP10N65CTL0	TO-220	650	10	1.4	0.71	1.5
DGP15N65CTL0	TO-220	650	15	1.4	0.65	1.35
DGP20N65CTL0	TO-220	650	20	1.6	0.83	1.25
DGQ100N65CTL1D	TO 247 plus	650	100	1.25	7.2	0.35
DGQ100N65CTS1D	TO 247 plus	650	100	1.35	5.5	0.35
DGQ160N65CTL1D	TO 247 plus	650	160	1.7	18.5	0.17
DGQ75N120CTH0D	TO 247 plus	1200	75	2	15	0.2
DGQ75N120CTH1B	TO 247 plus	1200	75	2.1	11.7	0.25
DGQ75N120CTL0D	TO 247 plus	1200	75	1.85	15.9	0.2
DGW100N65CTL1D	TO-247	650	100	1.25	7.2	0.35
DGW100N65CTS1D	TO-247	650	100	1.35	5.5	0.35
DGW10N120CTL	TO-247	1200	10	1.85	2.23	0.95
DGW15N120CTL	TO-247	1200	15	1.90	3.95	0.75
DGW15N120CTL0B	TO-247	1200	15	1.8	3.64	0.78
DGW20N65CTL0	TO-247	650	20	1.6	0.83	1.25
DGW25N120CTL	TO-247	1200	25	1.85	4.6	0.46
DGW30N65BTH	TO-247	650	30	1.95	1.75	0.8
DGW30N65CTH	TO-247	650	30	1.95	1.75	0.8
DGW30N65CTL	TO-247	650	30	1.85	1.71	0.8
DGW40N120CTH1A	TO-247	1200	40	1.85	7.2	0.4
DGW40N120CTL	TO-247	1200	40	1.85	8.1	0.35
DGW40N120CTL0D	TO-247	1200	40	1.75	8.62	0.3
DGW40N120CTL1A	TO-247	1200	40	1.7	7.8	0.4
DGW40N65BTH	TO-247	650	40	1.95	2.4	0.6
DGW40N65CTH	TO-247	650	40	1.95	2.45	0.49
DGW40N65CTL	TO-247	650	40	1.8	1.95	0.6
DGW40N65CTL0	TO-247	650	40	1.55	1.86	0.8
DGW50N65BTH	TO-247	650	50	1.95	3.24	0.5
DGW50N65CTH	TO-247	650	50	1.95	3.24	0.5
DGW50N65CTH2A	TO-247	650	50	1.6	2.56	0.53
DGW50N65CTL0	TO-247	650	50	1.7	2.26	0.7
DGW50N65CTS2A	TO-247	650	50	1.4	2.69	0.53
DGW60N65BTH	TO-247	650	60	2.1	4.27	0.45
DGW75N65CTH2A	TO-247	650	75	1.65	4.37	0.35
DGW75N65CTS2A	TO-247	650	75	1.45	4.64	0.35
DGZ50N65CTH2A	TO-247-4L	650	50	1.6	2.56	0.53
DGZ50N65CTS2A	TO-247-4L	650	50	1.4	2.69	0.53
DGZ75N65CTH2A	TO-247-4L	650	75	1.65	3.59	0.35
DGZ75N65CTS2A	TO-247-4L	650	75	1.45	3.86	0.35
DGZC75N65CTH2A	TO-247-4L	650	75	1.65	3.59	0.35
DGZC75N65CTS2A	TO-247-4L	650	75	1.45	3.86	0.35

揚（yáng）傑IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導體器件，它結（jié）合了雙極型（BJT）和場效應晶體管（FET）的特性（xìng）。

IGBT單管在現代電力電子（zǐ）和（hé）功率電（diàn）子領域中（zhōng）被廣泛應用，因為它具有高效率（lǜ）、高速度和高功率密度等優點。

IGBT單管的核心（xīn）是一個PNP結構的雙極型晶體管，其控製端有一個與（yǔ）之隔絕的柵極。這個柵極可（kě）以通過施加電（diàn）壓來（lái）控製電流的流動，

從而實現對器件的開關控製。因為柵極與電流隔離，所以它具（jù）有場效應晶體管的高輸入阻抗特性，同時也具有雙極型晶體管的高電流驅動能力。

IGBT單管的主（zhǔ）要優點包（bāo）括：

高效率：IGBT單管的導通壓降較低，因此能夠減少功率損（sǔn）耗，提高係統的效率。
高速度：由於具有FET的控製特（tè）性，IGBT單管的開關速度較快，適用於高頻應用。
高功率密度（dù）：IGBT單管具有較高（gāo）的功率密度，可以實現在小尺寸器件（jiàn）中傳輸大功率。
可靠性高：相對於其他功（gōng）率器件，IGBT單管具有較（jiào）高的（de）可靠性和穩（wěn）定性，適用於各種工作環境。

總的來說，IGBT單管在工業、交通、能源等領域（yù）扮演著重要的角色，為各種功率電子應用提供了高效、可靠的解決方案（àn）。

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碳化矽（guī）二極管的介紹 2023-04-23

揚傑IGBT單管
Product Name	Package	VCES _Min(V)	IC @ TC=80℃(A)	VCE(sat) _Typ(V)	Eon+Eoff typ. Tj=125℃ （mJ）	Rth(j-c) _Max((℃/W)
DGB15N65CTL0	TO-263	650	15	1.4	0.65	1.35
DGB20N65CTL0	TO-263	650	20	1.6	0.83	1.25
DGF10N65CTL0	TO-220F	650	10	1.4	0.71	4.8
DGF15N65CTL0	TO-220F	650	15	1.4	0.65	4.4
DGF20N65CTL0	TO-220F	650	20	1.6	0.83	4
DGL50N120CTL0D	TO-264	1200	50	1.8	11.64	0.3
DGL75N120CTL1J	TO-264	1200	75	1.6	22.6	0.27
DGP10N65CTL0	TO-220	650	10	1.4	0.71	1.5
DGP15N65CTL0	TO-220	650	15	1.4	0.65	1.35
DGP20N65CTL0	TO-220	650	20	1.6	0.83	1.25
DGQ100N65CTL1D	TO 247 plus	650	100	1.25	7.2	0.35
DGQ100N65CTS1D	TO 247 plus	650	100	1.35	5.5	0.35
DGQ160N65CTL1D	TO 247 plus	650	160	1.7	18.5	0.17
DGQ75N120CTH0D	TO 247 plus	1200	75	2	15	0.2
DGQ75N120CTH1B	TO 247 plus	1200	75	2.1	11.7	0.25
DGQ75N120CTL0D	TO 247 plus	1200	75	1.85	15.9	0.2
DGW100N65CTL1D	TO-247	650	100	1.25	7.2	0.35
DGW100N65CTS1D	TO-247	650	100	1.35	5.5	0.35
DGW10N120CTL	TO-247	1200	10	1.85	2.23	0.95
DGW15N120CTL	TO-247	1200	15	1.90	3.95	0.75
DGW15N120CTL0B	TO-247	1200	15	1.8	3.64	0.78
DGW20N65CTL0	TO-247	650	20	1.6	0.83	1.25
DGW25N120CTL	TO-247	1200	25	1.85	4.6	0.46
DGW30N65BTH	TO-247	650	30	1.95	1.75	0.8
DGW30N65CTH	TO-247	650	30	1.95	1.75	0.8
DGW30N65CTL	TO-247	650	30	1.85	1.71	0.8
DGW40N120CTH1A	TO-247	1200	40	1.85	7.2	0.4
DGW40N120CTL	TO-247	1200	40	1.85	8.1	0.35
DGW40N120CTL0D	TO-247	1200	40	1.75	8.62	0.3
DGW40N120CTL1A	TO-247	1200	40	1.7	7.8	0.4
DGW40N65BTH	TO-247	650	40	1.95	2.4	0.6
DGW40N65CTH	TO-247	650	40	1.95	2.45	0.49
DGW40N65CTL	TO-247	650	40	1.8	1.95	0.6
DGW40N65CTL0	TO-247	650	40	1.55	1.86	0.8
DGW50N65BTH	TO-247	650	50	1.95	3.24	0.5
DGW50N65CTH	TO-247	650	50	1.95	3.24	0.5
DGW50N65CTH2A	TO-247	650	50	1.6	2.56	0.53
DGW50N65CTL0	TO-247	650	50	1.7	2.26	0.7
DGW50N65CTS2A	TO-247	650	50	1.4	2.69	0.53
DGW60N65BTH	TO-247	650	60	2.1	4.27	0.45
DGW75N65CTH2A	TO-247	650	75	1.65	4.37	0.35
DGW75N65CTS2A	TO-247	650	75	1.45	4.64	0.35
DGZ50N65CTH2A	TO-247-4L	650	50	1.6	2.56	0.53
DGZ50N65CTS2A	TO-247-4L	650	50	1.4	2.69	0.53
DGZ75N65CTH2A	TO-247-4L	650	75	1.65	3.59	0.35
DGZ75N65CTS2A	TO-247-4L	650	75	1.45	3.86	0.35
DGZC75N65CTH2A	TO-247-4L	650	75	1.65	3.59	0.35
DGZC75N65CTS2A	TO-247-4L	650	75	1.45	3.86	0.35

揚傑IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種（zhǒng）功率半導（dǎo）體器件，它結合了雙極型（BJT）和場效應晶體管（FET）的特性。

IGBT單管在現代電（diàn）力電子和（hé）功率電子領（lǐng）域中被廣泛（fàn）應用，因為它（tā）具有高效率、高速度和高功率密度等優點。

IGBT單（dān）管（guǎn）的核（hé）心是一個PNP結構的雙極型晶體管，其（qí）控製端有一個與之隔絕（jué）的柵極。這個柵（shān）極（jí）可以通（tōng）過施加電（diàn）壓來控製電流的流動，

從而實現對器件的開關（guān）控製。因（yīn）為柵極與電流（liú）隔離，所以它具有場效應晶體管的高輸入阻抗特性，同時也具有雙極型晶體管（guǎn）的（de）高電流（liú）驅動（dòng）能力。

IGBT單管（guǎn）的主要優點（diǎn）包（bāo）括：

高效率：IGBT單管的（de）導（dǎo）通壓降較低（dī），因此（cǐ）能夠減少功率（lǜ）損耗（hào），提高（gāo）係統的效率。
高速度：由於具有FET的控（kòng）製特性，IGBT單管（guǎn）的開（kāi）關速（sù）度較快，適用於高頻應（yīng）用（yòng）。
高功率密度：IGBT單管具有（yǒu）較高（gāo）的功率密度，可以實現在小尺寸器件中傳（chuán）輸大功率。
可靠性高：相對於其他（tā）功率器件，IGBT單管具有較高（gāo）的可靠性和穩定性，適用於各種工作環境（jìng）。

總的來說，IGBT單管在工業、交通、能源等領域扮（bàn）演著重要的角色，為各種功率電子應用提供（gòng）了高效、可靠的解決方案。

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