WMJ53N65F2 MOSFET參數詳解

基本信息

WMJ53N65F2是一（yī）款由（yóu）WAYON生產的N溝（gōu）道超級結（Super Junction）MOSFET，具有以下基本參數：

• 型號：WMJ53N65F2

• 製造商：WAYON

• 封裝形式：TO-220F

• 漏極（jí）至源極電（diàn）壓（VDS）：650V

技術參數

電氣（qì）特性（xìng）

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V（最大值）時（shí），RDS(on)為0.078Ω。

• 漏極電流（ID）：在TA=25℃時，ID為50A。

• 功率損耗（PD）：在TA=25℃時，PD為34W。

• 柵極電壓（VGS）：典型值為3V。

• 開（kāi）啟閾值（zhí）電壓（VGS(th)）：典型（xíng）值為3V。

• 市場供應信息（xī）

• 供應商：東莞市日韩va中文字幕无码免费電子有限公司

  主營業務：專注於銷售功（gōng）率半導體元器（qì）件，包括進口semihow和維（wéi）安 亞成微 龍（lóng）騰等多種MOSFET產品。

• 維安超結MOSFET
  聯（lián）係人： 曾先生 153-3800-0102