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綠星MOS DG100N02Q DFN5*6

綠星MOS DG100N02Q DFN5*6

產品詳情

采用第三代DG-FET製程，DG-FET係列具有高速開關速度，業界（jiè）優異的Ron-Crss表現。
由於具有緩（huǎn）衝效應，DG-FET係列可以抑製，比SuperTrench係列（liè）更有效地切換噪音和振鈴。
RDS（on）導通電阻比其他同類（lèi）元件至少降（jiàng）低50%，閘電荷（Qg）比其（qí）他裝置少50%
20V至250V規格，可在（zài）各式電源與電機驅動中實現更高（gāo）效率。11.jpg22.png
分（fèn）享到：

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