80V低（dī）內阻MOS 綠星DG80N02HQ DFN5*6
顛覆業界傳統的低壓MOS製程（chéng），大幅降低（dī）RDS內阻切換損失。
台灣綠星低（dī）壓MOS產（chǎn）品融入DG-FET深溝（gōu）槽創新技（jì）術，將內阻值死磕到底，肉眼可見的出類拔萃（cuì）。
美（měi）瑞電子致力於推（tuī）動品質專線邁入普惠時代，帶入千（qiān）行百業。
80V低內阻MOS 綠星DG80N02HQ DFN5*6
顛覆業界傳統的低（dī）壓MOS製程，大幅降低RDS內阻切換損失（shī）。
台灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創新技術，將內阻值死磕到底，肉眼（yǎn）可見的出類（lèi）拔萃。
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