綠星MOS DG100N02PB TO-220AB
silicongear使用第三代DG-FET工藝,DG-FET係列具有高速開笑速度,業界(jiè)傑出的Ron-Crss性能。
綠星電子(zǐ)致力於通(tōng)過不斷開發新電源半導體技術,產品和創新解決方案(àn),為客戶提供卓越的設計,製造和響應能力。我們通過滿足其產品特定需求,為(wéi)客戶帶來受益的產品。
綠星DG100N02PB使用第三代DG-FET工藝,DG-FET係列具有(yǒu)高速開笑(xiào)速度,業界傑出的Ron-Crss性能。綠星電子致力於通過不斷開發新電源(yuán)半導體技術,產品和創新解決方案,為客戶提供卓越的設計,製(zhì)造和響應能(néng)力。
silicongear使(shǐ)用第三代DG-FET工藝,DG-FET係(xì)列具有高速開笑速度,業界傑出(chū)的Ron-Crss性能。
綠星電子致力於通過不斷開(kāi)發新電源半導體技術,產品(pǐn)和創新解決方案,為客戶(hù)提(tí)供卓越的設(shè)計(jì),製(zhì)造和響應能力。我們通過滿足其產品特定(dìng)需求,為(wéi)客戶帶來受(shòu)益的產品。
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