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綠星MOS DG100N02Q DFN5*6

綠星MOS DG100N02Q DFN5*6

產品詳情

采用（yòng）第三代DG-FET製程，DG-FET係列具有高速開關速度，業界優異（yì）的Ron-Crss表現。

由於具有緩衝效應，DG-FET係列可以抑製，比SuperTrench係列更有效地切換噪音和振鈴。

RDS（on）導通電阻比其他同類元件至少降低50%，閘電（diàn）荷（Qg）比其他裝（zhuāng）置少50%

20V至250V規格，可在各式電源與電機驅動中實（shí）現更高效率。

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采用第三代DG-FET製程（chéng），DG-FET係列具有（yǒu）高速開關速度，業（yè）界優異的Ron-Crss表現。

由於具有緩衝效應，DG-FET係列可以抑製（zhì），比SuperTrench係列更（gèng）有（yǒu）效地（dì）切（qiē）換噪音和振（zhèn）鈴。

RDS（on）導通電阻比其他同類元件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其他（tā）裝置少50%

20V至（zhì）250V規（guī）格，可在各式電源與電機驅動中（zhōng）實現更高效率。

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Tel: +86-769-21665206

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網址：www.szfssm.com

總公司地址:廣東省東莞市萬江（jiāng）街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3層

經營產品：碳化矽器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整（zhěng）流橋堆、低壓MOS、超（chāo）結MOS

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