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30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3
顛覆業界傳統的低壓MOS製程，大幅降（jiàng）低RDS內阻切換損（sǔn）失。
台灣綠（lǜ）星低壓MOS產品融入（rù）DG-FET深溝槽創新技術，將內（nèi）阻值死磕（kē）到底，肉眼可見的出類拔萃。
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顛覆業界傳統的低壓MOS製程，大（dà）幅降低RDS內阻切換損失。
台灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創新技術，將內阻值死磕到底，肉眼可見的出類拔萃（cuì）。
美（měi）瑞電子（zǐ）致力於推動品質專線邁入（rù）普惠（huì）時代，帶入千行百業（yè）。
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