HCS65R380S MOSFET參數（shù）詳解

基本信息

HCS65R380S是一款超結高壓MOSFET，由Semihow公司生產。Semihow擁有超過10年在三（sān）星功（gōng）率半導體（tǐ）工作的研發團隊，具備強大的技術研發實力。該產品主要用於600V~900V的電壓係列，具有多種（zhǒng）封（fēng）裝形（xíng）式，如TO-220、TO-220F、DPAK、IPAK等。

主要參數

電壓特性

• 最大漏極-源極（jí）電壓（VDS）：650V

• 柵極-源極電壓（VGS）：最小導通電壓2V，最大導通電壓4V

電氣特性（xìng）

• 最大漏極電流（liú）（ID）：10.4A @ 25℃

• 導通電阻（RDS(ON)）：最大0.38Ω @ VGS=10V

• 柵極電荷（Qg）：22.6nC

• 漏極（jí）-源極電容（Cds）：133pF

封裝信息

• 封裝形式：TO-220FS

工作原（yuán）理

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧（yǎng）化物半導體場效應晶體管）是一種電壓控製元件。它（tā）利用金屬層（柵極（jí））隔著氧化層（絕緣（yuán）層）和半導體（源極和（hé）漏極）之間的電（diàn）場效應來控製電（diàn）流的流動（dòng）。MOSFET具有高開關速（sù）度、低噪（zào）聲、高抗輻射能力等優點，同時體積小、重量輕（qīng）、耗電省、壽命長。

應用領域（yù）

HCS65R380S因（yīn）其（qí）出（chū）色的電氣特性（xìng）和可靠（kào）性，廣泛應（yīng）用於電力電子領域，特別（bié）是（shì）在需要高效能和高可靠性的電源管理電路中。其高壓特性使其成為開關電源、電機控製等（děng）應用的理想選擇。

注意事（shì）項

在使用HCS65R380S時，需要注意其散熱問題，因為高功率操（cāo）作會（huì）產生大量熱量。建議采用合適（shì）的散熱解決方案，如安裝散熱器或使用風扇輔助散熱。

綜上所述（shù），HCS65R380S是一款性能優異的超結高壓MOSFET，適用於多種高性能電力電子設備。在選擇（zé）和使用時，應充分考慮其電氣參數和應（yīng）用需求，以確保（bǎo）係統（tǒng）的穩定運行和長期可靠性。