LSD65R650GMB

龍騰半導體LSD65R650GMB功率MOSFET產品介紹
產品（pǐn）概述

LSD65R650GMB是龍（lóng）騰半導體(LONTEN)推出的一款高性能N溝道功率（lǜ）MOSFET，采用先進的超結(Super Junction)技術製造（zào）。該產（chǎn）品（pǐn）屬於龍騰半導體650V高壓MOSFET係列，專為高（gāo）效率電源轉換應用而設計。

技術（shù）參數
參數名稱 參數值 備注
漏源電壓(Vdss) 650V 最大額定值
連續漏極電流(Id) 7A 25°C環境溫度下
柵（shān）源極閾值電壓 4.5V @ 250uA 典型值（zhí）
漏源導通電阻(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最大功率耗散 28W Ta=25°C時
封裝（zhuāng）形式 TO-220F 符合行業標（biāo）準
技術類型 超（chāo）結VDMOS Super Junction技術

注：以上參數基於類似型號LSD65R650HT的技術規格（gé）整理，建議聯係龍騰半導體獲取LSD65R650GMB的精確參數。

產品（pǐn）特（tè）點（diǎn）

高效率設計‌

采（cǎi）用超結(Super Junction)技術，顯著降低導通電（diàn）阻
相比傳統（tǒng）平麵MOSFET，導通（tōng）損耗降低約22.3%
優（yōu）化的柵極電荷特性，減少開關損耗

高可靠（kào）性‌

100%通過UIS(Unclamped Inductive Switching)測（cè）試
符合RoHS環（huán）保規範，無鉛（qiān）無鹵素
優化的熱設計，提高高溫工作穩定性

應（yīng）用友好性‌

標準TO-220F封裝，便於安裝和散熱（rè）設計
與行業主流MOSFET引腳兼（jiān）容
簡（jiǎn）化電（diàn）路設計，降低係（xì）統成本
應用領（lǐng）域

LSD65R650GMB適用於多種高效率電源轉換場景：

應用類別（bié） 典型應用
消費電子 LED驅動電源、適配器、PD快充
計（jì）算機 服務器（qì）電源、PC電源
工業電子 開關電源、工業電源
新能源 光（guāng）伏（fú）逆變器輔助電源

特別適用於需（xū）要（yào）高效（xiào）率、高功率（lǜ）密度的電源設計場景。

技術優勢

與傳統（tǒng）平麵（miàn）MOSFET對比‌

克服了導通（tōng）電阻隨擊穿電壓急劇增大（dà）的缺（quē）點
保持輸（shū）入阻抗高、開關速度快的特點
顯著提（tí）升係統整體效率

與常規超結（jié）MOSFET對（duì）比‌

優化的內部電場分布設計
增強的耐壓能力和可靠性
改進（jìn）的開關特性，降低EMI幹擾

市（shì）場定位‌

填補（bǔ）國產高（gāo）端功率半導體器件空白
在650V高壓應用中具有競爭優勢（shì）
性價比優於同類（lèi）進口產品
使用建議

電路設計注意事項‌

建議工作電壓不超過520V，留足設計餘量
柵極驅動電阻推薦（jiàn）值10-22Ω，平衡開關速度與EMI
確保良好（hǎo）的散熱條件，建議使用散熱片（piàn）

典型應用電路（lù）‌

適用於反激式、正激式等開關電源拓撲
可與PWM控製器如L6565等配合使用
在LLC諧振（zhèn）轉換器中表現優異

可靠性保障‌

避免超（chāo）過最大額定參數使用
注意PCB布局，減少寄生參數影（yǐng）響
建議進行老化測試驗證長期可靠性
製造商背景

龍騰半導體有限公（gōng）司是一家專注於新型功率半導體器件研發的高新技術（shù）企業，通過ISO9001-2015質量體係認證。公司在功率半（bàn）導體領域擁（yōng）有83項專利，並參與製定了（le）超結功（gōng）率MOSFET國家行業標準(SJ/T 9014.8.2-2018)。

公司（sī）產品線涵蓋超結MOSFET、IGBT、快（kuài）恢複二極管等多個係列（liè），廣泛應用於消費電子、工業電源、新能源汽車等領域。龍騰半導體建有國內一流的研發中心和應用測（cè）試實驗室，持續（xù）推動功率半導體技術（shù）創新。