Semihow HCA60R070F MOSFET 參數詳解（jiě）

一、基礎參數概覽

1. 電壓與電流特性

   • 漏源電（diàn）壓（VDS）：600V

   • 漏極電流（ID）：42A（@25℃）

   • 導通電阻（RDS(on)）：70mΩ

   • 柵源電壓範圍（VGS）：2.5V（最（zuì）小（xiǎo）值）至5V（最大值）

   • 最大功耗（PD）：272W（@25℃）

2. 封裝形式

   • 封裝類型（xíng）：TO-247

二、核心技術與結構特點

1. 超（chāo）結（Super Junction）技術

   • HCA60R070F 采用 超結（SJ）結構，相比傳統平（píng）麵MOSFET，在高壓場景下顯著降低導（dǎo）通電阻（zǔ）（RDS(on)）和開關損耗，提升係統效率 。

   • 適用場景：高效率電源轉換（如（rú）開關電源、充（chōng）電（diàn）器）、電機驅動等高壓高頻應用 。

2. 晶圓與（yǔ）製造工藝

   • 晶（jīng）圓由 三星代工生產，結合Semihow的功率半導體設（shè）計技術，優化了（le）器件性能和（hé）可靠（kào）性 。

三、關（guān）鍵（jiàn）性能優勢

1. 低導通損耗

   • 70mΩ的低RDS(on)值在高壓應用中減少導通損耗，尤（yóu）其適合高功率密度的緊湊型設計（jì） 。

2. 溫升控（kòng）製

   • 優異（yì）的散熱性能使其在35-65W小（xiǎo）體積PD充電器（qì）中表（biǎo）現突出，溫升控製（zhì）優於同類（lèi）平麵MOSFET 。

3. 快速反向恢複（Fast TRR）

   • 搜索結果中提及（jí） 快速反向恢複特性（Fast TRR），可降低（dī）開關過程中的能量損耗，提升係統整體效率 。

四、典型應用場景

1. 電源係統

   • 開（kāi）關電源（SMPS）、高效率（lǜ）多形態電源（如PD快充適配器） 。

2. 電機（jī）驅動

   • 工業電（diàn）機控（kòng）製、電（diàn）動車驅（qū）動模塊 。

3. 其他領域

   • 汽（qì）車電子（zǐ）（如LED照明係統）、消費類電子設備的高壓電源（yuán）管理 。

五、廠商與供應鏈信息

• 製造商（shāng）：Semihow（韓國功率半導體公司，成立於2002年） 。

• 代理商：東莞市日韩va中文字幕无码免费電子有限公司

六、注意事項

• 柵極驅（qū）動要求：需確保VGS在（zài）2.5-5V範（fàn）圍內，避（bì）免過壓損（sǔn）壞 。

• 散熱設計（jì）：TO-247封裝（zhuāng）需（xū）配合適當（dāng）散熱方案以發揮最大功耗能力 。