在現代電子設（shè）備（bèi）中，電（diàn）磁幹擾（EMI）是一個不容忽視的問題（tí）。隨著電（diàn）子產（chǎn）品的日益複雜和集成度的提高，EMI問題日益凸顯，對產品的（de）性能和穩定性構成了挑戰。超（chāo）結MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作為一種先進的功率半導體器件，因其獨特的結構和性能（néng），在改（gǎi）善EMI方（fāng）麵展現出顯（xiǎn）著優勢。本文將探討Semihow超結MOS如何有效（xiào）改善（shàn）EMI。

超結MOSFET技術概述

超結MOSFET，又稱（chēng）為（wéi）Super Junction MOSFET或CoolMOS，是一種結合了溝（gōu）槽工藝和多層外延工藝的新型功率MOSFET。相較於傳統（tǒng）VDMOS（Vertical Double-Diffused MOS），超結MOSFET通過在外延層（céng）中交替形（xíng）成高阻的n型區和p型區，顯著（zhe）降低了單位麵積的（de）特征電阻，從而（ér）減少了（le）通態功耗和開關損耗。此外，超結MOSFET還具備更高的開關（guān）速度和更低的能耗，是高壓、大（dà）功（gōng）率應用中的理想選擇（zé）。

Semihow超結MOSFET改善EMI的機製

Semihow與三（sān）星半導體合作開發的超結MOSFET產品，采用多層（céng）外（wài）延工藝，相比溝槽工藝，多層（céng）外延在EMI抑製方麵表現出色。具體機製如下：

1. 多層外延結構減少寄生電容

多層外延工藝通過在外延層中多次（cì）掩（yǎn）刻和摻雜，形成了複雜的n型和p型交替區域。這種結（jié）構不僅（jǐn）降低了特征電（diàn）阻，還顯著減少（shǎo）了寄生電容。寄生電容是（shì）EMI的主要來源之一，因為它會在開關過程中產生（shēng）高頻噪聲。超結MOSFET較（jiào）小的寄（jì）生電容能有效降（jiàng）低開關損耗，提高開（kāi）關速度，同時減（jiǎn）少EMI的產生。

2. 內置ESD保護（hù）二極管

Semihow超結（jié）MOSFET產品內置了ESD（靜電放電）保護二（èr）極管。這種二極管在器件受到靜電衝擊時，能夠提（tí）供有效的保護路徑，將靜電（diàn）電荷迅速釋放，從而避免（miǎn）對器件造成損（sǔn）壞。同時，內置ESD保護（hù）二極（jí）管還能提高浪湧的穩定性和靜電（diàn）的（de）可靠性，進一步（bù）減少由靜電放電引起的EMI。

3. 優化（huà）的開關特性

超結MOSFET由於具有較低的柵電容和較快的開關速度，在（zài）開關過程中產生的dV/dt和dI/dt較小，這有助於減少通過器件和印刷電（diàn）路板中的（de）寄生電容電感產生的高頻噪聲。此外，Semihow通過精確（què）控製製造工藝，確保了產品的開關特性一致性和穩定性（xìng），進一步減少了EMI的產生。

應（yīng）用實例（lì）與市（shì）場（chǎng）反饋

Semihow的超結MOSFET產（chǎn）品已在多個領域得到廣泛應用，包括三星、LG、華為、飛（fēi）利浦、中興等知（zhī）名（míng）企業的產品中。特別是在快（kuài）充、電源、照明、顯示器等市場領域，Semihow的超結MOSFET憑借其優異的EMI性能和穩定的品質，贏得了客戶的廣泛認可。

例如，HCD70R600超結（jié）MOSFET是Semihow與（yǔ）三星半導體合作開發（fā）的一款產品，導阻僅為0.6Ω，采用多層外延（yán）工藝，在快充及PD應用上EMI表現優秀。同時，該產品（pǐn）內置ESD二極管，防靜電能力好，並擁有全球優秀的晶圓生產品質管控（kòng）體係支（zhī）持。

結論

Semihow超結MOSFET通過多（duō）層外（wài）延工（gōng）藝（yì）和內（nèi）置ESD保護二極管等先進技（jì）術，有效（xiào）改善了EMI問題（tí）。這種器件在高壓、大功率應用（yòng）中展現出顯著優勢，不僅（jǐn）提高了產品（pǐn）的性能和穩定性，還滿足（zú）了現代電子設備對電磁兼容性的嚴格（gé）要求。隨著技術的不斷進步（bù）和（hé）應用領域的不斷拓展，Semihow超（chāo）結MOSFET將在更多（duō）領域（yù）發揮重要作用，推動電子產業的持續發展。