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解讀!碳化矽二極管成為大功率電源產品核心競爭力

碳化(huà)矽(SiC)是碳(tàn)和矽的化合物,碳化矽單晶材料采(cǎi)用物理(lǐ)氣相輸(shū)運(PVT)法,在超過2000℃的高溫下,將碳粉和矽粉(fěn)通過(guò)高溫分解成原(yuán)子,通過(guò)溫度控製沉積在碳化矽籽晶上形成碳化矽晶體。

碳化矽器(qì)件擁有高耐壓、高速開關(guān)、低導通電阻、高效率等特性,有助於降低能(néng)耗和縮(suō)小係統尺寸。


一、PFC電路在安規中的重要性

開關電源,由於整流後采用大容量的濾波電容,呈現容性負載,而在電容充放電(diàn)時會使電網中(zhōng)產生大量高次諧波,產(chǎn)生汙染和幹擾,人們開始在開關電源中引入PFC電路,功率在75W以上的開(kāi)關(guān)電源強製要求加入PFC電(diàn)路以提高功率因數,修正負載特性。

PFC分為被動式和主動(dòng)式兩種。被動式采用大電感串聯補償,主要缺點(diǎn)是體積大,且效率低。隨著近年來半導體器件(jiàn)迅猛發展,被動式PFC被主動式PFC全麵取(qǔ)代。主動式PFC采用PFC控製器(qì)、開關管、電感(gǎn)和二極管組成升壓電路,具有體積小,輸入電壓範圍寬,功率因數補償效果好的(de)優點。

主動式PFC通過控製器驅動開關(guān)管升壓、二極管整流為(wéi)主(zhǔ)電容充電,根據電壓電(diàn)流之間的相位差(chà)進行功率因素補償。


二、碳化矽應用於PFC電路優勢

隨著業界對(duì)電源功率密度的追求,以及氮(dàn)化镓功率器件(jiàn)的普及,主動式PFC需要提高工作頻率來減(jiǎn)小磁芯體(tǐ)積,此(cǐ)時常規快恢複二極管的性能已經不(bú)能滿足高頻下整流需求,這為碳化矽二極管在PFC上(shàng)的應用創造有利條件。

碳(tàn)化矽二極管相對於矽二極管有如下的優點:

沒有反向恢複電流,反向恢複時間極短,應用中(zhōng)沒有反向恢複尖峰,在(zài)CCM模式下具有很強的優勢,矽二(èr)極(jí)管(guǎn)反向恢複電流的峰值(zhí)相當可觀,有的甚至會數倍於正向電流,這不但會增加二極管的損耗,也會引起較大的EMT(電磁(cí)幹擾)。所以二極管反(fǎn)向恢複電流和(hé)恢複時間的存在會限(xiàn)製開關電(diàn)源的開關頻率,無法進一步小型化。高頻整流電路中要選擇反向恢複電流(liú)較小、反向恢複時間較小的整流二極管。另外反(fǎn)向恢複電流在CCM電(diàn)流連續模式下(xià),會對開關管造成很大的威脅。反向恢複的電壓會反射到(dào)開關管上,使開關管的應力增(zēng)加,損耗增大。


在(zài)相同功率下SiC的尺寸可以做到更小。另外器件的導通(tōng)電(diàn)阻更小,高壓損耗低。SiC二極管的性能基本不受(shòu)結溫的影響,最高工作溫度175℃ 依舊可以可靠運行。

應用案例:

泰科天潤半(bàn)導體科技(北京)有限公司是中國碳化矽(SiC)功率器件產業化的倡導者之一(yī)。泰科天潤致力於中國半導體(tǐ)功(gōng)率器件製造產業的(de)發展,並(bìng)向(xiàng)全球功率器件消費者提(tí)供優質(zhì)的半導體功率器件(jiàn)產品和專(zhuān)業服務。

泰科天潤在北京擁有一座完整的半導體(tǐ)工藝晶圓廠,可在4/6英寸SiC晶圓上實現(xiàn)半導體功(gōng)率器件的製造工藝。作為國內碳化矽研發生產和平台服務型公司,泰科天潤的產品線涉及基礎核心技術產品、碳化矽成型產品以及多套行業解決方案。目前泰科天潤的碳化(huà)矽器件650V/2A-100A、1200V/2A-50A、1700V/5A -50A、3300V/0.6A-50A等係列的產品已經投入批量生產,產品(pǐn)質量(liàng)完全可以比肩國際同行業(yè)的(de)先進水平。泰科天潤通過與產業(yè)同行(háng)、科研院所、國內外專家共同探索與開發,正在將SiC功率器件推廣到更多更廣的應用領域。

概括:

碳化矽二極(jí)管(guǎn)(Silicon Carbide Diodes)作為大(dà)功率電源產品的核心競爭力有以(yǐ)下(xià)幾(jǐ)個方麵(miàn):


  1. 高溫性(xìng)能:碳化矽材料具有優異的高溫性能,可(kě)在高溫環境下工作,通常可(kě)耐受高達(dá)200度以上的(de)工作溫度。相比之(zhī)下,傳(chuán)統的矽二極管在高溫下(xià)容易失(shī)效。這使得碳(tàn)化矽二極管(guǎn)非常適用於高溫應用(yòng)領域,例如電力(lì)電子設備、汽車電子等,提高了產品的可靠性和(hé)壽命。


  2. 低功耗:碳化矽二極管具有較(jiào)低的開關損耗和導通損耗。開(kāi)關損耗是(shì)指在開關過程中產生的(de)能量損失,導通損耗是(shì)指在導通狀態下產生的能量損失。碳化矽二極管的低功耗特性使得(dé)它在高(gāo)頻率開關電源和逆變(biàn)器應用中表(biǎo)現出色,能夠提供更高的效率(lǜ)和能源利用率。


  3. 高開(kāi)關速度:碳(tàn)化(huà)矽二(èr)極管具(jù)有(yǒu)快速的開(kāi)關速(sù)度,能夠在納秒級別實(shí)現開關操作。這意味著它可以迅速響應高頻率的電(diàn)源需求,提供更穩定的電壓輸出和電(diàn)流傳輸。高開(kāi)關速度也有助於減少開關過程中的功耗和(hé)熱損失。


  4. 低導通壓(yā)降:碳化矽二極管具有較低的(de)導通壓降(Forward Voltage Drop),即在導(dǎo)通狀態下的電壓降低。這意味著更小的能量損失和更高的效率。低導通壓降還能減少電源(yuán)係統中的(de)熱量產生,提高整體能源(yuán)利用效率。


綜上所述,碳化矽二極管以其高溫性能、低(dī)功耗、高開關速度和低(dī)導通壓降等特點,成為大功率電(diàn)源產品的核心競爭力。它可以提供更可靠、高效和穩定的電源解決方案,適用於各種領域的高性能電子設備。


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