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碳化矽內絕緣封(fēng)裝結構的詳細介紹-美(měi)瑞(ruì)電子(zǐ)

碳化矽內絕緣封(fēng)裝的結構設計對其性能和可(kě)靠性至關重要。該封裝結構不僅(jǐn)確保了SiC器件(jiàn)在高壓、高(gāo)溫和高功率條件下的穩定性,還提供了必要的絕緣、散熱和(hé)機械(xiè)保護。以下是碳化矽內絕緣封裝結構的詳細介紹:


1. 封裝基板


材料:通常采(cǎi)用高熱導率(lǜ)材料如氮化鋁 (AlN) 或氧化鋁 (Al2O3),這(zhè)些材料具有良好(hǎo)的電氣絕緣性和導熱性,可以有效(xiào)地傳導(dǎo)SiC芯片產生的熱量。

功能:基(jī)板(bǎn)提供(gòng)了機械支撐,確保芯片固定在封(fēng)裝內(nèi)。它同時也(yě)起到電氣絕(jué)緣作用,將芯片與外部電路隔離。


2. 絕(jué)緣層


材料:常用的絕緣材料包括(kuò)二氧化矽 (SiO2)、氮化矽 (Si3N4)、聚酰亞胺等。這些材(cái)料的選擇(zé)基於其高絕緣性和(hé)熱穩定性。

作(zuò)用:絕緣(yuán)層(céng)是封裝結構中(zhōng)非常關鍵的一部分,主要功能是隔離芯片(piàn)與封裝外(wài)殼之間的電氣連接,防止(zhǐ)漏電(diàn)和短路,同時還提(tí)供額外的機械保護(hù)。

層數(shù)設計:一些高性能的封裝設計中,會(huì)采用多層絕緣結構,每層之間(jiān)可以具(jù)有不同的材(cái)料特性(xìng),進(jìn)一步提高器件的電氣隔離和熱(rè)管理性能。


3. 芯片附著層(céng) (Die Attach)


材料:常用的材料包括(kuò)導熱(rè)粘合劑、焊料或金(jīn)屬複合材料(如銀膏(gāo)、釺料(liào))。選擇這些材(cái)料的關鍵是它們的導熱性和(hé)與SiC芯片的良好兼容性。

功能:該層將SiC芯片固定在基板上,並提供良好(hǎo)的導熱路徑,使得芯(xīn)片的熱量能夠迅速傳導到基板上,有助於散熱(rè)管理(lǐ)。


4. 導(dǎo)電(diàn)互連 (Bonding)


材料:通常使用金 (Au)、鋁(lǚ) (Al) 或銅(tóng) (Cu)等高導電性材料來實現芯(xīn)片與封裝外部的電氣連(lián)接。對於高功率應用,可以采用厚金(jīn)屬線或焊接。

技術:最常見的互連技術包括線鍵合 (Wire Bonding) 和倒裝(zhuāng)芯片 (Flip-Chip) 技(jì)術。線鍵合適用於低功率或中等功率的應用,而倒裝芯片技術則更適合(hé)高功率器件,它通過將芯片直接連接到封裝的金屬化層上,從而減少電感並提高熱管理能力。


5. 封裝外殼 (Encapsulation)


材料:封裝外殼通常采(cǎi)用環(huán)氧樹脂或陶瓷材料。這些材料具備耐高溫、抗濕氣(qì)侵蝕的能力,同時還具有較強的機(jī)械強度。

功能:外殼的主要功能是提供機械保護和環境隔離(lí),防(fáng)止(zhǐ)外界因素(如濕氣、化學品或機械衝擊)對SiC芯片的影響。

氣密封裝:某些應用場景要(yào)求更高的環境穩定性(xìng)和可靠性,因此會采用(yòng)氣密封裝,確(què)保在極端環境下的穩定運行。


6. 散熱管理結構


散熱器或散熱層:為了優化熱管理,封裝結構通常集成(chéng)有專門的散熱層或外部散熱器。通(tōng)過增加熱傳導路徑,散熱器可以迅速將芯片產生的熱量散發出去(qù),防止芯片過熱導致性能下降或失效。

材料選擇:高導熱性的材料如銅 (Cu)、鋁 (Al) 或複合導熱材料(liào)廣泛應用於散熱設計中。一些高端封裝可能還采用液(yè)態冷卻或氣體冷卻方案,以進一步提升散熱效率。


7. 封裝類型


TO-220、TO-247 封裝:這些封裝類型多用(yòng)於碳化矽功率器件,具備(bèi)良好的散(sàn)熱和機械強度(dù)。

模塊化封裝:對於(yú)更高功率密度的應用,如電動汽車的逆變器或大型工業電源,模塊化封裝會將多(duō)個SiC芯片集成到一個封裝內,以提高整體的功率處理能力。


8. 密封和環(huán)境防護


氣密封裝:一些SiC封裝采用氣密封裝設計,在封裝過程中完全密封,防止外部氣(qì)體或濕氣進入器件內部(bù)。這種設計適用於高濕度、高腐蝕(shí)性環境下的應用,確(què)保器件長期穩定工作。

抗機械衝擊保護:封裝的外殼還會設計成抗震、防衝擊的結構,以應對嚴苛的工作環境。


9. 引腳設計


材料和形狀:引腳采用高導電(diàn)性的金屬材料製成(chéng),並設計成適應不同應用的形狀,如直引腳或彎引腳,以適應不同的電路板安裝需求。

功能:引腳是封裝與外部電路的電氣連接部分,確保SiC器件可以穩(wěn)定、可靠地與係統進行電氣信號傳輸。


總(zǒng)結(jié):


碳化矽內絕緣(yuán)封裝結(jié)構(gòu)是(shì)通過多(duō)層絕緣、導熱、和保護結構的集成,確保SiC器件在高壓、高溫、高功率條件下穩定運行。通過選擇合適的材料和封裝設計,可以最大程度地發揮碳化矽的高(gāo)性能優勢,使其廣泛應用於電動汽車、工業電力轉換和可再生能源等領域。


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